耗尽

法定代表人：高亚红 注册资本：- 成立日期：2019-03-28

地址：陕西省西安市雁塔区长安中路65号金莎国际301

公司名称：西安市雁塔区热情耗尽商贸店

法定代表人：卜杉山 注册资本：- 成立日期：2021-01-12

地址：中国(辽宁)自由贸易试验区营口市五台子办事处客车场西里33号-204-64-31

公司名称：营口市西市区耗尽温情网络工作室

法定代表人：万欣 注册资本：210.6455万元 成立日期：2016-12-01

地址：浙江省亚太路705号16FA16-12室

专利：耗尽型沟槽晶体管及其形成方法

法定代表人：余恺璐 注册资本：1000万元 成立日期：2021-07-02

地址：深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园二期4栋8层807

专利：一种耗尽型功率器件的直驱电路

法定代表人：姜涛 注册资本：436.3149万元 成立日期：2023-07-10

地址：深圳市坪山区坪山街道六联社区联浪路16号海科兴留学生产业园C栋401-A46

专利：具有SiGaN复合栅极钝化层的耗尽型氮化镓HEMT器件及其制备方法

法定代表人：袁义倥 注册资本：1286.9959万元 成立日期：2017-11-13

地址：中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道88号人工智能产业园G4-202-021单元

专利：集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法

法定代表人：官浩峰 注册资本：300万元 成立日期：2011-11-10

地址：中山市坦洲镇腾云路凤翔下街1号2-3楼、4楼A区

专利：一种墨盒的墨水量耗尽检测方法及墨盒

法定代表人：梁辉南 注册资本：13097.1707万元 成立日期：2016-03-17

地址：辽宁省大连高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼

专利：一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件

法定代表人：陈建璋 注册资本：3247.4354万元 成立日期：2021-12-30

地址：中国(上海)自由贸易试验区盛夏路500弄7号2楼203-A-6室

专利：一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构

法定代表人：刘石生 注册资本：233.33万元 成立日期：2020-01-15

地址：深圳市南山区南头街道莲城社区深南大道10128号南山软件园A808

专利：基于化合物的纯耗尽型逻辑电路及复合逻辑电路

法定代表人：夏富强 注册资本：7200万元 成立日期：2021-09-06

地址：南京市浦口区大余所路5号7号楼2楼

专利：一种可区分增强型和耗尽型MOS晶体管的染色溶液及其应用

法定代表人：万欣 注册资本：100万元 成立日期：2020-08-20

地址：浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号13号楼401室

专利：耗尽型沟槽晶体管及其形成方法

法定代表人：张乃千 注册资本：1000万元 成立日期：2014-11-03

地址：中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城中北区30幢1706室

专利：一种TDD开关电路以及耗尽型半导体放大电路

法定代表人：郑方伟 注册资本：200万元 成立日期：2015-12-16

地址：深圳市龙岗区平湖街道山厦社区中环大道中科谷产业园6栋1304、1305

专利：一种新型氧化硅层辅助耗尽超结结构的制造方法

法定代表人：李刚 注册资本：18963.35万元 成立日期：2015-01-06

地址：陕西省榆林市定边县砖井镇

专利：一种巡检无人机电力耗尽报警装置

法定代表人：何林 注册资本：1200万元 成立日期：2022-05-31

地址：北京市北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层306-3(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)

专利：一种基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法

法定代表人：李刚 注册资本：10800万元 成立日期：2013-06-14

地址：甘肃省张掖市临泽县扎尔墩滩

专利：一种巡检无人机电力耗尽报警装置

法定代表人：黄东强 注册资本：50万元 成立日期：2009-07-27

地址：深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B

专利：一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构

法定代表人：朱廷刚 注册资本：11144.4798万元 成立日期：2010-06-30

地址：张家港市杨舍镇福新路2号B12幢

专利：一种基于分立的耗尽型GaN器件的快充电路

法定代表人：胡大鹏 注册资本：100万元 成立日期：2018-11-20

地址：深圳市宝安区西乡街道桃源社区航城工业区富鑫林工业园A栋513

专利：一种耗尽型MOSFET器件以及制造方法